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2024年12月19日 星期四

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  • 更新时间:2024-12-19
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伦茨 EVF9383-EVV210Lenze 模块
伦茨 EVF9383-EVV210Lenze 模块
伦茨 EVF9383-EVV210Lenze 模块
来认识一下变频器中的晶体管

变频器是现代工业中广泛使用的设备,用于调节电机的速度和转矩。变频器的核心组件之一是晶体管,它们在控制电机的性能方面起着至关重要的作用。


晶体管开关频率高的一个优点是可以灵活地调节变频器的输出电压。晶体管开关频率高时,控制电路 只需控制逆变器晶体管的通与断,就能产生正弦的电机电流。因为高频将导致电机发热和高的尖峰电压,所以逆变器的开关频率需衡权考虑。开关频率 越高,损耗就越大。

伦茨 EVF9383-EVV210Lenze 模块

晶体管类型

变频器中常用的高频晶体管主要有三种类型:

双极型晶体管(BJT)

单极型晶体管(MOS-FET)

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

双极型晶体管(BJT)

双极型晶体管(BJT)具有高电流密度和低导通电阻的特点,但其开关速度较慢,控制复杂,且功耗较高。

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单极型晶体管(MOS-FET)

MOS-FET晶体管具有高开关速度和低驱动功率的优点,适用于高频应用。然而,其导通电阻较高,导致在高电流应用中损耗较大。

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

IGBT晶体管结合了BJT和MOS-FET的优点,具有高输入阻抗和低导通电阻,适用于高功率和高频应用。IGBT晶体管在现代变频器中得到了广泛的应用。

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晶体管的应用

IGBT晶体管在变频器中的应用为广泛,因为它们结合了MOS-FET的控制特性和BJT的输出特性,具有适当的功率范围、导电性和开关频率,非常适合现代变频器的控制。将IGBT晶体管、逆变器元件及其控制部分集成在一个模块上,这种模块称为智能功率模块(IPM)。

结型场效应管的内部结构如下图所示。由图可以看出,当栅源电压(VGS)为0V时,场效应管的导电沟道宽,沟道电阻小,漏极与源极是导通的,其电阻值为直流导通电阻Ron (约几KΩ),而栅极与其它极之间呈现单向导电性。因此使用万用表可以很方便的将栅极与其它两个极区分。源极和漏极不必再区分,因为结型场效应管允许源极和漏极互换使用


     型号

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MHD071B-061-PG0-UN

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MHD112B-024-NG1-BN

MHD112B-024-NP1-BN

MHD112B-024-PG0-BN

MHD112B-024-PP0-BN

MAF100M-0220-FQ-M2-BH-05-N1-S040

MAD100D-0200-SA-S2-BH0-05N1

MAF160C-0200-FQ-S2-EH0-05-N1

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